재료의 얇은 막을 씌워 올린다. MOS의 경우에는 silicon(반도체) 위에 oxide(산화물, 유전체) 그리고 그 위에 metal을 올리는 것이다. 이러한 공정의 종류와 방법은 주로 화학적이냐 물리적이냐에 따라 크게 두 카테고리로 나뉜다.
그림. 4 박막 공정의 종류
1) Chemical Deposition
유체(액체, 기체) precursor
Capacitor
실제로 MOSCapacitor가 받는 표면효과는 매우 복잡하다. 이상적인 MOSCapacitor는 이런 표면효과를 무시한 것이다. 이런 MOSCapacitor는 변형된 일함수 을 사용하는 것이 편리하다. 일함수 이란 금속의 페르미 준위부터 산화물의 전도 대역까지의 크기를 말한다. 이 때 페르미 준위란 고체 내 전자의
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
1. 실험목적
MOS 소자를 만드는 과정을 이해한다. Metal 종류, oxide 종류, 증착방법에 따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOSCapacitor의 구조
그림 1. MOScapacitor의 구조
MOScapacitor는 metal, oxide, semiconductor
설계(Optimal design)기법에 대한 여러 가지 연구결과들이 발표되고 있다. 이번 논문에서는 현재 활발히 진행되고 있는 최적형상 및 최적설계 기법 중 용량성 마이크로 스위치(Capacitive micromachined switch)에서의 최적설계[1], 마이크로 센서 및 마이크로 엑추에이터 에서의 민감도 최적형상 연구[2], 상용소프트
미국의 반도체 강국 지위가 다소 불안한 점도 있다.
반도체 기업별 세계 매출순위를 살펴보면, 세계 2위 기업인 삼성전자는 2009년 2분기 반도체 매출이 2008년 2분기에 비해 18.5%나 하락하였다. 하이닉스도 2009년 2분기에 무려 27% 감소한 매출결과를 보였으나, 세계 8위의 지위를 나타내고 있다.